[20p-C309-1~10] 強誘電体材料の将来デバイスへの応用

[20p-C309-5] Hf_0.5Zr_0.5O₂強誘電体薄膜の相変化時に起きる微細構造変化

〇右田 真司¹、太田 裕之¹、森田 行則¹ (1.産総研)

キーワード：強誘電体、ハフニウム酸化物、相変化

HfO₂系結晶膜の強誘電性の起源は、直方晶とされている。この結晶構造は準安定相であり、正方晶から単斜晶へと結晶構造が変化する過程で現れる。そのため結晶化処理を行う際には、熱処理の温度と時間の管理が重要である。本研究では最も有望な組成とされているHf_0.5Zr_0.5O₂膜を取り上げ、熱処理条件を大きく変えた時の薄膜の結晶構造の変化を調べた。その際に結晶膜の微細構造にも変化が生じていることが明らかになったので報告する。