2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[20p-C310-1~16] 6.4 薄膜新材料

2019年9月20日(金) 13:45 〜 18:00 C310 (C310)

土屋 哲男(産総研)、石橋 隆幸(長岡技科大)

15:00 〜 15:15

[20p-C310-6] コ・スパッタリングによるMgをドープしたIrO2薄膜のエレクトロクロミック特性

須賀 結奈1、柏木 誠1、賈 軍軍2、中村 新一3、重里 有三1 (1.青学大理工、2.早大国際理工学C、3.青学大理工分析C)

キーワード:酸化イリジウム、エレクトロクロミズム、コ・スパッタリング

酸化イリジウム (IrO2) は、電気化学的な酸化反応により着色するエレクトロクロミック (EC)材料として知られている。しかし、消色時の透過率や着色効率が低いこと、Irが高価である等の課題がある。そこで、本研究では、Ir量を減らすため、MgをドープしたIrO2薄膜を作製し、そのEC特性について解析した。また、同じ酸化発色型EC材料であるMgドープNiO薄膜との比較を行った。MgをドープしたIrO2薄膜は、Ir/(Ir+Mg)=20at%前後で着色効率などの特性が最も向上した。