[20p-E303-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[20p-E303-6] PL法によるp-BaSi₂/n-Siヘテロ接合太陽電池のB-doped p-BaSi₂層欠陥評価

〇杉山 稜汰¹、山下 雄大¹、Deng Tianguo¹、Xu Zhihan¹、都甲 薫¹、末益 崇¹ (1.筑波大)

キーワード：半導体