[20p-E310-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20p-E310-14] GaNナノワイヤとGaInN/GaN多重量子殻のMOVPE成長と構造評価

〇後藤 七美¹、曽根 直樹^1,3、飯田 一喜^1,4、Weifang Lu¹、村上 ヒデキ¹、寺澤 美月¹、埋橋 淳²、関口 隆史²、大久保 忠勝²、Jun Chen²、Wei Yi²、宝野 和博²、大矢 昌輝^1,4、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、赤﨑 勇^1,5 (1.名城大、2.NIMS、3.小糸製作所、4.豊田合成、5.名大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：MOCVD、GaN系ナノワイヤ