[20p-E314-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

[20p-E314-11] テクスチャー構造を有するRib型Si太陽電池の高性能化

〇高村 司¹、岩田 龍門¹、市川 幸美¹、齊藤 公彦²、小長井 誠¹ (1.東京都市大総研、2.福島大共生システム理工学類)

キーワード：半導体、太陽電池、ヘテロ接合型Si太陽電池

Si太陽電池の変換効率の向上を目指してRib太陽電池の更なる高性能化を行っている。今回テクスチャー構造を有するRib基板及びc-Si基板を用いて積層構造の最適化を行った。一例として開放電圧とi-a-SiO:H膜厚依存性をまとめた。結果としてはi-a-SiO:Hの膜厚が厚くなるほど開放電圧は向上しているが2nm以上で減少する傾向となった。これは界面欠陥が増加している可能性を示唆している。