[20p-N304-1~10] Latest trend on atomic layer processes

△ [20p-N304-10] Analysis of SiN Surface Fluctuations in Atomic Layer Etching

〇Akiko Hirata¹, Masanaga Fukasawa¹, Katsuhisa Kugimiya¹, Kohjiro Nagaoka¹, Kazuhiro Karahashi², Satoshi Hamaguchi² (1.Sony Semiconductor Solutions Corp., 2.Osaka Univ.)

Keywords:Atomic Layer Etching, insulator film SiN, Suface analysis

近年、超高選択比加工や低ダメージ加工を実現するためにALE (Atomic Layer Etching)の研究開発が活発化している。今回はSiNに対して表面吸着と脱離を繰り返すALEを検討した。
特に、安定なALEの実現には1サイクル毎に同じ表面状態に戻す事が重要であり、表面状態のサイクル数による変動を詳細に評価した。