[20p-PB3-1~11] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[20p-PB3-11] GaAsナノピラーに埋め込まれたIn_0.5Ga_0.5As量子ドットにおけるスピンダイナミクス

〇(D)陳 亜鳳¹、木場 隆之²、飯島 奈都美²、高山 純一¹、肥後 昭男³、樋浦 諭志¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学、2.北見工大、3.東京大VDEC)

キーワード：量子ドット、ナノピラー、スピン緩和

これまで、多くのグループは、スピン偏極の時空の動力学により電子スピン緩和を調節する方法を調査しました。広い3次元と二次元のスピン輸送チャネルから半導体ナノ構造の狭い一次元のスピン輸送チャンネルを変化して、チャネル幅を減少させることで、スピン緩和時間が飛躍的に長くなることが理論的に予測されました。今回、as-grown層があるIn_0.5Ga_0.5As QD構造と比較して、光学的に励起した電子の量子閉じ込めを可能にするGaAsナノピラー構造に埋め込まれたIn_0.5Ga_0.5As 量子ドットにおけるQD励起状態での緩和に関するスピンダイナミクスを研究した。