2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[21a-C309-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

2019年9月21日(土) 09:00 〜 12:30 C309 (C309)

藤沢 浩訓(兵庫県立大)、清水 荘雄(東工大)

10:00 〜 10:15

[21a-C309-5] Si基板上のエピタキシャル(K,Na)NbO3薄膜の結晶構造および圧電特性の評価

譚 ゴオン1、藤田 卓也1、Kweon Sang Hyo1、小金澤 智之2、神野 伊策1 (1.神大工、2.高輝度光科学研究センター)

キーワード:非鉛圧電薄膜、XRDその場観察

非鉛 (K,Na)NbO3 (KNN)薄膜は、現在主流であるPb(Zr,Ti)O3 (PZT)薄膜に匹敵する高い圧電特性を有しており、PZTの代替材料として注目を集めている。KNN薄膜の圧電特性向上には、結晶構造と圧電特性の関係を明らかにする必要がある。本研究は、Si基板上にエピタキシャルKNN薄膜を作製して結晶構造解析および圧電特性の評価を行った。また、放射光施設(SPring-8)のシンクロトロン放射光を用いて、DC電圧印加下でX線回折測定を行い、多結晶KNN薄膜の結果と比較した。