[21a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21a-E310-2] Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶の成長促進に向けたLi添加系での多結晶抑制

〇濱田 和真¹、山田 拓海¹、村上 航介¹、今西 正幸¹、吉村 政志^1,2、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)

キーワード：窒化ガリウム、ナトリウムフラックス法、ポイントシード

本研究室ではNaフラックス法を用いて低転位なGaN結晶の作製に成功している。また、ポイントシード法と呼ばれる技術を用いることでさらに低転位な基板を作製することが可能である。さらなる低転位化に向けて、ポイントシードの径を小さくしたいが、径を小さくすると成長しなくなるため、Liを添加することで成長促進を促した。しかしながら、Li添加系では多結晶が発生してしまうため、今回多結晶の抑制に取り組んだ。