[21a-PA2-1~31] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-PA2-17] NiO/ Al₂O₃上におけるVO₂薄膜の電子構造と金属-絶縁体転移の制御

今川 雄洋¹、及川 純平¹、山田 庸公¹、湯川 龍²、堀場 弘司²、組頭 広志^2,3、〇樋口 透¹ (1.東理大理、2.高エネ研、3.東北大)

キーワード：VO2/NiO多層膜、金属-絶縁体転移

本研究ではAl₂O₃基板上にVO₂/NiO多層膜を成膜し、M-I転移に及ぼす電子・結晶構造・電気特性の影響を検証した。VO2単相膜は320Kで金属-絶縁体(M-I)転移を示すが、VO₂/NiO多層膜はM-I転移を示さず、絶縁体化している。これは、多層膜による格子歪と界面での電荷移動に起因すると考えられる。