[21a-PB1-1~86] 17 ナノカーボン（ポスター）

[21a-PB1-64] PVAによるMoS₂FETへのキャリアドーピングと電気特性への影響

〇松崎 貴広¹、大場 智明¹、川那子 高暢¹、小田 俊理¹ (1.東工大量子ナノ研)

キーワード：キャリアドーピング、MoS2、PVA

本研究では、MoS₂FETの表面にPVAを塗布することで、低温プロセスによるMoS₂チャネル層への接触ドーピングと電気特性への影響を調べた。結果としては、PVAの無い電気特性では、正常なFET動作を観測した。一方、PVA塗布後には、FETのOn電流の増加を確認したが、同時にOff電流の著しい増加も見られた。これは、MoS₂中の最大空乏層幅の減少が原因だと思われる。