[21a-PB1-1~86] 17 ナノカーボン（ポスター）

[21a-PB1-67] MoSe₂/GaAsヘテロエピタキシーにおける基板面方位依存性

〇大竹 晃浩¹、佐久間 芳樹¹ (1.物材機構)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、分子線エピタキシー

本研究ではMoSe₂と異なる対称性を持つGaAs(110)基板上において分子線エピタキシー(MBE)によるMoSe₂薄膜のエピタキシャル成長を試み、MoSe₂成長におよぼす基板面方位および格子整合性の影響を議論する。