[21p-E301-1~7] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21p-E301-4] 窒化物半導体ヘテロ構造からのテラヘルツ放射特性

〇山原 滉太¹、Abdul Mannan¹、芹田 和則¹、村上 博成¹、中西 英俊²、東脇 正高³、斗内 政吉¹、川山 巌¹ (1.阪大レーザー研、2.SCREEN、3.情通機構)

キーワード：テラヘルツ、窒化物半導体、界面