[21p-E310-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[21p-E310-10] Growth of AlGaN/InGaN hetero structure grown on AlN template for cyclotron resonance measurement

〇Masatomo Sumiya¹, Kiyotaka Fukuda^1,2, Shuhei Yashiro^1,2, Toru Honda², Dickson Kindole³, Kanji Takehana¹, Yasutaka Imanaka^1,3 (1.NIMS, 2.Kogakuin Univ., 3.Hokkaido Univ.)

Keywords:III-V nitride, Shubnikov de Haas Oscillation

我々はMOCVDでサファイア基板/AlNテンプレート上にInGaN薄膜を成長し、結晶性やalloy scatteringの観点から膜厚依存性を検討したところ、シュブニコフドハース振動が観測できるほど良好なInGaN薄膜とAlGaN/InGaN/GaNヘテロ構造を作製することができた。