14:15 〜 14:45 [10p-W241-2] ヘテロ接合チャネルによるIn–Ga–Zn–O薄膜トランジスタの高移動度・高信頼性化 〇古田 守1,2、是友 大地1、アマン メハディ1、曲 勇作1 (1.高知工大、2.高知工大 総研)