16:30 〜 16:45 [11p-70A-14] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成におけるイオンビーム照射の影響 〇(B)楢原 拓真1,2、佐藤 真一郎2、土方 泰斗1、大島 武2 (1.埼玉大工、2.量研)