13:30 〜 15:30 [11p-PB3-9] Al0.05Ga0.95Nバックバリアを有する高抵抗Si基板上GaNチャネルHEMT 〇星 拓也1、杉山 弘樹1、中島 史人1、松崎 秀昭1 (1.日本電信電話株式会社 NTT先端集積デバイス研究所)