14:15 〜 14:30 [11p-70A-6] 高温ガス成長法によるΦ6inch 4H-SiC結晶の開発 〇神田 貴裕1、岡本 武志1、徳田 雄一郎1、鈴木 玄1、大矢 信之1、牧野 英美1、上東 秀幸1、星乃 紀博2、鎌田 功穂2、土田 秀一2 (1.デンソー、2.電中研)