13:30 〜 15:30 [11p-PB3-14] ショットキーバリア特性を用いたp-GaN エピ層のキャリア濃度評価 〇松山 秀昭1、上野 勝典1、高島 信也1、田中 亮1、福島 悠太1、江戸 雅晴1 (1.富士電機)