09:30 〜 09:45 [11a-70A-3] リン処理によるSiC/SiO2界面の炭素関連欠陥の低減機構 〇(P)小林 拓真1,2、松下 雄一郎1、奥田 貴史2、木本 恒暢2、押山 淳3 (1.東工大フロンティア、2.京大院工、3.名大未来研)