[11a-70A-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[11a-70A-3] Microscopic Mechanism of Reduction in Carbon-Related Defects at a SiC/SiO₂ Interface Due to Phosphorus Treatment

〇(P)Takuma Kobayashi^1,2, Yu-ichiro Matsushita¹, Takafumi Okuda², Tsunenobu Kimoto², Atsushi Oshiyama³ (1.Tokyo Tech, 2.Kyoto Univ., 3.Nagoya Univ.)

Keywords:interface defects, first-principles calculations

SiC MOSFET では、SiC/SiO₂界面の高密度欠陥準位による移動度劣化が問題となっている。酸化後のP 処理(POCl₃, O₂, N₂ の混合ガスアニール) が界面準位低減に有効であることが実験的に示されたが、そのメカニズムの理解は十分でない。本研究では、特にC 欠陥に焦点を当て、P 処理がC欠陥を低減する機構について第一原理計算により調べた結果を報告する。