13:30 〜 15:30 [11p-PB3-11] Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果 〇(M1)古岡 啓太1、久保 俊晴1、江川 考志1 (1.名工大)