10:00 〜 10:15 △ [10a-M114-5] レーザーアニール法を用いた低温多結晶Si薄膜の突起制御 〇(B)濱野 史暢1、妹川 要1,2、中村 大輔1、池上 浩1,2 (1.九大、2.九大ギガフォトン共同研究部門)