[10a-M114-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [10a-M114-5] レーザーアニール法を用いた低温多結晶Si薄膜の突起制御

〇(B)濱野 史暢¹、妹川 要^1,2、中村 大輔¹、池上 浩^1,2 (1.九大、2.九大ギガフォトン共同研究部門)

キーワード：レーザーアニール、多結晶Si、TFT

低温ポリシリコン(LTPS)薄膜はTFTのチャネル材料として用いられている。エキシマレーザーアニーリング法を用いてLTPSを作成時に結晶粒界で突起が形成され、TFT動作時にゲートリーク電流が生じることが問題となっている。本報告では、突起が形成されたLTPS薄膜にエキシマレーザーを照射することで生じる突起の変化について報告する。