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コードシェアセッション » 【CS.4】3.15 シリコンフォトニクス、3.16 Optics and Photonics English Sessionのコードシェアセッション

[10a-W331-1~10] CS.4 3.15 シリコンフォトニクス、3.16 Optics and Photonics English Sessionのコードシェアセッション

2019年3月10日(日) 09:15 〜 12:15 W331 (W331)

Guangwei Cong(AIST)、八木英樹(住友電工)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:15 〜 09:30

▲ [10a-W331-1] Enhanced Ultraviolet Absorption in Graphene based on Metal-Dielectric-Metal Structure

Yijun Cai¹、Chengying Chen¹、〇YI CHEN¹ (1.Xiamen Univ. of technology)

09:30 〜 09:45

▲ [10a-W331-2] Numerical analysis of Waveguide coupled graphene thermal emitter

〇(M2)Hanzhi Tang¹、Shinichi Takagi¹、Mitsuru Takenaka¹ (1.Univ. Tokyo)

09:45 〜 10:00

▲ [10a-W331-3] Quantum-Confined Direct-Gap Optical Absorption in Strained GeSn/Ge Multiple-Quantum-Well on Silicon

〇(M1)Kuan-Chih Lin¹、Yen-Hsin Lo¹、Chi-Wang Im¹、Guo-En Chang¹ (1.Nat. Chung Cheng Univ.)

10:00 〜 10:15

▲ [10a-W331-4] Investigation of Si Sidewall Bragg Grating for Hybrid III-V/SOI DFB Lasers

〇(M2)Moataz Eissa¹、Takuya Mitarai¹、Fumihitio Tachibana¹、Nobuhiko Nishiyama^1,2、Shigehisa Arai^1,2 (1.Titech EEE Dept.、2.Titech FIRST)

10:15 〜 10:30

▼ [10a-W331-5] All-optical serial-to-parallel conversion by nonlinear carrier-dispersion effects in silicon

〇(M2)Neranjith RanepuraHewage¹、Yuya Shoji¹、Tetsuya Mizumoto¹ (1.Tokyo Tech.)

10:45 〜 11:15

▲ [10a-W331-6] 【Highlight】[INVITED] A Versatile Silicon Photonics Platform for Integrated Optics Applications

〇Frederic Boeuf¹ (1.STMicroelectronics, Crolles, France)

11:15 〜 11:30

▲ [10a-W331-7] Investigation of Franz-Keldysh effect and carrier depletion effect in III-V/Si hybrid MOS optical modulator

〇(DC)Qiang Li¹、Chong Pei Ho¹、Shinichi Takagi¹、Mitsuru Takenaka¹ (1.Univ. of Tokyo)

11:30 〜 11:45

▲ [10a-W331-8] Investigation of impact of InGaAsP quantum well on the modulation efficiency of III-V/Si hybrid MOS optical modulator

〇(M2)Dongsheng Lyu¹、Qiang Li¹、Shinichi Takagi¹、Mitsuru Takenaka¹ (1.Univ. Tokyo)

11:45 〜 12:00

▼ [10a-W331-9] Investigation of stress dependence on bonding strength for III-V/Si chip-on-wafer by plasma activated bonding

〇Liu Bai¹、Takehiko Kikuchi^1,3、Takuya Mitarai¹、Nobuhiko Nishiyama^1,2、Hideki Yagi³、Tomohiro Amemiya^1,2、Shigehisa Arai^1,2 (1.Tokyo Tech、2.IIR、3.SEI)

12:00 〜 12:15

▲ [10a-W331-10] Investigation of InP/Si bonding condition for suppressing degradation of Photoluminescence property using Surface Activated Bonding

〇(M2)Yuning Wang¹、Takuya Mitarai¹、Tomohiro Amemiya^1,2、Nobuhiko Nishiyama^1,2、Shigehisa Arai^1,2 (1.Tokyo Tech、2.FIRST)

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