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[12a-W521-1~10] 17.3 層状物質

2019年3月12日(火) 09:00 〜 11:30 W521 (W521)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[12a-W521-1] 分子線エピタキシー法で作製したVセレン化物薄膜の磁気特性Ⅱ

〇中野匡規¹、吉田訓¹、Bahramy Mohammad Saeed^1,2、王越¹、松岡秀樹¹、真島裕貴¹、小濱芳允³、大東祐汰¹、柏原悠太¹、坂野昌人¹、石坂香子^1,2、岩佐義宏^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS、3.東大物性研)

09:15 〜 09:30

△ [12a-W521-2] ファンデルワールス界面を利用した2次元強磁性体の磁気異方性制御

〇松岡秀樹¹、中野匡規¹、岩佐義宏^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

09:30 〜 09:45

[12a-W521-3] TaSe₂エピタキシャル薄膜のMBE成長と輸送特性

〇田中勇貴¹、松岡秀樹¹、中野匡規¹、岩佐義宏^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

09:45 〜 10:00

[12a-W521-4] 誘電体基板を用いたWS₂単層膜のクーロンエンジニアリング

〇梶野祐人¹、音賢一¹、山田泰裕¹ (1.千葉大院理)

10:00 〜 10:15

△ [12a-W521-5] 単層/二層WS₂における水素発生反応のナノスケール電気化学イメージング

〇小川寛人¹、熊谷明哉^2,1、遠藤尚彦³、小林佑³、井田大貴¹、高橋康史^4,5、末永智一¹、宮田耕充³、珠玖仁¹ (1.東北大環境、2.東北大AIMR、3.首都大東京、4.金沢大学、5.JSTさきがけ)

10:15 〜 10:30

[12a-W521-6] UV光照射に伴う超酸分子処理MoS₂のフォトルミネッセンスの連続的上昇

〇山田悠貴¹、青木佑樹¹、福井暁人¹、一宮永¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹、篠北啓介²、松田一成²、桐谷乃輔^1,3 (1.大阪府大工、2.京大エネ研、3.科学技術振興機構さきがけ)

10:30 〜 10:45

[12a-W521-7] 単層WS2–WSe2面内ヘテロ構造の発光特性

〇(DC)島崎雅史¹、和田尚樹²、宮田耕充²、松田一成¹、宮内雄平¹ (1.京大エネ理、2.首都大院理)

10:45 〜 11:00

[12a-W521-8] 層状反強磁性体を用いた磁性ヘテロ界面における光物性

〇(D)恩河大¹、杉田悠介¹、井手上敏也¹、中川裕治¹、鈴木龍二¹、求幸年¹、岩佐義宏^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

11:00 〜 11:15

▲ [12a-W521-9] Stability of monolayer WSe₂ and MoS₂ in an aqueous solution under light irradiation

〇(D)Wenjin Zhang¹、Kazunari Matsuda¹、Yuhei Miyauchi¹ (1.Inst. of Advanced Energy, Kyoto Univ.)

11:15 〜 11:30

△ [12a-W521-10] 単層カーボンナノチューブの表面吸着による二硫化モリブデン単層膜の発光特性制御

〇小山真莉子¹、矢野隆章¹、原正彦¹ (1.東工大物質理工)

セッション情報

[12a-W521-1~10] 17.3 層状物質

[12a-W521-1] 分子線エピタキシー法で作製したVセレン化物薄膜の磁気特性Ⅱ

△ [12a-W521-2] ファンデルワールス界面を利用した2次元強磁性体の磁気異方性制御

[12a-W521-3] TaSe₂エピタキシャル薄膜のMBE成長と輸送特性

[12a-W521-4] 誘電体基板を用いたWS₂単層膜のクーロンエンジニアリング

△ [12a-W521-5] 単層/二層WS₂における水素発生反応のナノスケール電気化学イメージング

[12a-W521-6] UV光照射に伴う超酸分子処理MoS₂のフォトルミネッセンスの連続的上昇

[12a-W521-7] 単層WS2–WSe2面内ヘテロ構造の発光特性

[12a-W521-8] 層状反強磁性体を用いた磁性ヘテロ界面における光物性

▲ [12a-W521-9] Stability of monolayer WSe₂ and MoS₂ in an aqueous solution under light irradiation

△ [12a-W521-10] 単層カーボンナノチューブの表面吸着による二硫化モリブデン単層膜の発光特性制御

認証

セッション情報

[12a-W521-1~10] 17.3 層状物質

[12a-W521-1] 分子線エピタキシー法で作製したVセレン化物薄膜の磁気特性Ⅱ

△ [12a-W521-2] ファンデルワールス界面を利用した2次元強磁性体の磁気異方性制御

[12a-W521-3] TaSe2エピタキシャル薄膜のMBE成長と輸送特性

[12a-W521-4] 誘電体基板を用いたWS2単層膜のクーロンエンジニアリング

△ [12a-W521-5] 単層/二層WS2における水素発生反応のナノスケール電気化学イメージング

[12a-W521-6] UV光照射に伴う超酸分子処理MoS2のフォトルミネッセンスの連続的上昇

[12a-W521-7] 単層WS2–WSe2面内ヘテロ構造の発光特性

[12a-W521-8] 層状反強磁性体を用いた磁性ヘテロ界面における光物性

▲ [12a-W521-9] Stability of monolayer WSe2 and MoS2 in an aqueous solution under light irradiation

△ [12a-W521-10] 単層カーボンナノチューブの表面吸着による二硫化モリブデン単層膜の発光特性制御

認証

[12a-W521-3] TaSe₂エピタキシャル薄膜のMBE成長と輸送特性

[12a-W521-4] 誘電体基板を用いたWS₂単層膜のクーロンエンジニアリング

△ [12a-W521-5] 単層/二層WS₂における水素発生反応のナノスケール電気化学イメージング

[12a-W521-6] UV光照射に伴う超酸分子処理MoS₂のフォトルミネッセンスの連続的上昇

▲ [12a-W521-9] Stability of monolayer WSe₂ and MoS₂ in an aqueous solution under light irradiation