[10a-W351-1~6] 9.4 熱電変換

[10a-W351-2] AuとBを共添加したSi-Ge系薄膜の熱電特性

〇廣瀬 光太郎¹、足立 真寬¹、西野 俊佑¹、山本 喜之¹、竹内 恒博² (1.住友電工、2.豊田工大)

キーワード：シリコンゲルマニウム、半導体、性能指数

熱電材料を用いた発電技術は排熱発電への応用が期待されており、その実現のために高特性熱電材料の研究開発が進められている。熱電性能指数ZTを向上させるには、電子構造で決定される出力因子の向上、および熱伝導率の低減が重要である。本講演では，特に電子構造を変調すべく、Auによる新規準位の形成とBによるフェルミ準位の制御を目的に、それらの共添加によりZTの向上を実証したので報告する。