[10a-W521-1~12] 17.2 Graphene

△ [10a-W521-3] Suppression of FET Property Drift for Practical Realization of Graphene Bio Sensor

〇Naruto Miyakawa¹, Ayumi Shinagawa¹, Shota Ushiba¹, Masahiko Kimura¹, Takao Ono², Yasushi Kanai², Koichi Inoue², Kazuhiko Matsumoto² (1.Murata Manufacturing Co., Ltd., 2.ISIR, Osaka Univ.)

Keywords:graphene, bio sensor, drift

グラフェンFETの応用先の１つとしてバイオセンサが挙げられる。溶液中で帯電した生体分子によってグラフェンのFET特性(電流(I_ds)-電圧(V_g)カーブ)が変化することを期待するが、実際にイオン溶液中で繰り返し I_ds- V_g特性を評価してみると、電流値が極小値を取るゲート電圧(V_Dirac)が生体分子がなくとも時間推移(ドリフト)することがわかる。センサ応用する上でドリフト現象を抑制する必要があるため、今回このドリフト現象の要因について追究した。