[11a-M121-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-M121-12] 表面活性化接合によるGaAs/GaAs界面における元素分布評価

〇清水 康雄¹、海老澤 直樹¹、大野 裕¹、梁 剣波²、重川 直輝²、井上 耕治¹、永井 康介¹ (1.東北大金研、2.大阪市大院工)

キーワード：表面活性化接合、アトムプローブ、GaAs

本講演では，表面活性化接合（SAB: Surface-activated bonding）法で形成したGaAs/GaAs接合界面に着目し，３次元アトムプローブ法を適用して接合界面近傍における３次元実空間上の元素分布を明らかにするとともに，接合後の熱処理の効果を議論する．