09:30 〜 11:30
[11a-PB3-11] アモルファスWSin膜の実効仕事関数
キーワード:ゲート、シリサイド、CVD
アモルファスWSin膜は熱酸化膜上で~4.0 eVのSiの伝導帯端に相当する小さな実効仕事関数を示す。一般に仕事関数が小さい材料は反応性が高く不安定であるのに対し、この材料は安定性が高い。従って、WSin膜は、nFET用のゲートスタックへの適用が期待される。
一般セッション(ポスター講演)
13 半導体 » 13.5 デバイス/配線/集積化技術
2019年3月11日(月) 09:30 〜 11:30 PB3 (武道場)
09:30 〜 11:30
キーワード:ゲート、シリサイド、CVD