[11a-PB4-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-PB4-3] GaN層の表面汚染に関する検討(Ⅱ)

〇水野 愛¹、岩元 正紀¹、長田 拓也¹、鈴木 礼央¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：GaN層、X線光電子分光法、表面汚染

前回の報告で，大気暴露させたGaN層の表面は，Si系化合物の汚染を受けることを述べた．今回は，GaN層表面に吸着したSi系化合物の除去を目的とした化学エッチングについて検討を行った．また，Si系化合物からの汚染速度についても，X線光電子分光法(XPS)を用いて検討した．