[11a-W351-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

△ [11a-W351-4] PLD法を用いたY, ZrドープHfO₂薄膜の作製と評価

〇(M1C)田代 裕貴¹、三村 和仙¹、清水 荘雄¹、舟窪 浩¹ (1.東工大)

キーワード：強誘電体、薄膜、ハフニア

極薄膜で強誘電特性を示すHfO₂は、Siプロセスとの整合性が良く、微細加工などのしやすさから近年注目が集まっている。本研究では更なる特性の向上と新規な研究としてHfO₂にY, ZrをドープしたHf-Zr-Y-O薄膜を作製し評価を行った。