[11a-W351-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

[11a-W351-5] (K, Na)NbO₃薄膜へのドーピング効果

〇譚 ゴオン¹、藤田 卓也¹、西岡 慎太郎¹、神野 伊策¹ (1.神戸大工)

キーワード：非鉛系圧電薄膜

現在、Pb(Zr, Ti)O₃ (PZT)圧電薄膜の代替材料として(K, Na)NbO₃ (KNN) 薄膜が注目されている。KNN薄膜の圧電特性向上のために、様々な元素によるドーピングが有効な手段と考えられているが、これまで系統的な研究報告は少ない。本研究は、多元RFスパッタリング法を用いてKNNとドーパントターゲットを同時スパッタすることでドーピングを行い、電気特性および圧電特性に与える影響を調べた。