[11p-70A-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11p-70A-15] γ線照射が炭化ケイ素表面発光中心の生成・発光特性に与える影響

〇山崎 雄一¹、常見 大貴^1,2、佐藤 真一郎¹、土方 泰斗²、大島 武¹ (1.量研、2.埼玉大院理工)

キーワード：炭化ケイ素、単一光子源、γ線照射

炭化ケイ素(SiC)半導体の発光中心の一つである表面SPS(単一光子源)について、γ線照射に伴う界面変化(界面準位・酸化膜固定電荷の増加等)が表面SPS生成量・発光特性に与える影響について調べた結果、発光スポットおよびスポットあたりの平均輝度が増加していることがわかった。より詳細な光学特性評価結果も踏まえた考察を行う。