The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[11p-70A-1~17] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

Mon. Mar 11, 2019 1:00 PM - 5:30 PM 70A (70th Anniversary Auditorium)

Koichi Murata(CRIEPI), Tomoaki Furusho(Mitsubishi Electric)

4:30 PM - 4:45 PM

[11p-70A-14] Effects of Ion Beam Conditions on Nitrogen-Vacancy Center Formation in 4H-SiC

〇(B)Takuma Narahara1,2, Shinichiro Sato2, Yasuto Hijikata1, Takeshi Oshima2 (1.Saitama Univ., 2.QST)

Keywords:Silicon Carbide, Nitrogen-Vacancy Center

炭化ケイ素(SiC)中の窒素・空孔複合欠陥(NcVsi-)は、生命科学や医療分野における量子計測・センシング(局所領域の高感度磁場・温度計測)への応用が期待されている。NcVsiはイオン照射と熱処理によって形成される。本研究では、点欠陥の導入に様々なイオン種を用いた場合の依存性を調べ、NcVsi-の形成条件や形成量の制御方法の解明を試みた。その結果、イオンビームの質量数が増加すると、少ないイオン照射量でPL積分強度が最大となることが分かった。