4:30 PM - 4:45 PM
[11p-70A-14] Effects of Ion Beam Conditions on Nitrogen-Vacancy Center Formation in 4H-SiC
Keywords:Silicon Carbide, Nitrogen-Vacancy Center
炭化ケイ素(SiC)中の窒素・空孔複合欠陥(NcVsi-)は、生命科学や医療分野における量子計測・センシング(局所領域の高感度磁場・温度計測)への応用が期待されている。NcVsiはイオン照射と熱処理によって形成される。本研究では、点欠陥の導入に様々なイオン種を用いた場合の依存性を調べ、NcVsi-の形成条件や形成量の制御方法の解明を試みた。その結果、イオンビームの質量数が増加すると、少ないイオン照射量でPL積分強度が最大となることが分かった。