The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[11p-70A-1~17] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

Mon. Mar 11, 2019 1:00 PM - 5:30 PM 70A (70th Anniversary Auditorium)

Koichi Murata(CRIEPI), Tomoaki Furusho(Mitsubishi Electric)

4:45 PM - 5:00 PM

[11p-70A-15] Influence of gamma ray irradiation on creation and luminescence properties of
SiC surface color center

Yuichi Yamazaki1, Hiroki Tsunemi1,2, Shin-ichiro Sato1, Yasuto Hijikata2, Takeshi Ohshima1 (1.QST, 2.Saitama Univ.)

Keywords:SiC, single photon source, gamma ray irradiation

炭化ケイ素(SiC)半導体の発光中心の一つである表面SPS(単一光子源)について、γ線照射に伴う界面変化(界面準位・酸化膜固定電荷の増加等)が表面SPS生成量・発光特性に与える影響について調べた結果、発光スポットおよびスポットあたりの平均輝度が増加していることがわかった。より詳細な光学特性評価結果も踏まえた考察を行う。