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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[11p-M113-1~20] 6.2 カーボン系薄膜

2019年3月11日(月) 13:15 〜 19:00 M113 (H113)

小山和博(デンソー)、小野田忍(量研機構)、藤井知(沖縄高専)

14:30 〜 14:45

[11p-M113-5] ゲート・オーバーラップ構造の水素終端ダイヤモンドMOSFET のシミュレーション

〇王聞欣¹、畢特¹、川原田洋¹ (1.早稲田大学)

キーワード：ダイヤモンド