[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-11] Pt/ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果

〇(M1)古岡 啓太¹、久保 俊晴¹、江川 考志¹ (1.名工大)

キーワード：GaN、MIS-HEMT、ALD

我々は、白金族金属であるPtをゲート金属に用いてFGアニールを行い、MIS-HEMTのΔV_thとI_gの両方を低減できる条件を見出すことを目的とし、Pt/ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTの評価を行った。ALD-Al₂O₃の膜厚40 nmではFG-PMAの効果が見られ、I_gはゲート電圧を8 Vまで印加すると4.4×10^-4 mA/mmまで増加してしまうが、⊿V_thは0.2 Vまで低減された。