[11p-S011-1~18] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [11p-S011-1] GaCl-O₂-N₂系およびGaCl₃-O₂-N₂系によるε-Ga₂O₃気相成長の比較

〇佐藤 万由子¹、竹川 直¹、村上 尚¹、熊谷 義直¹ (1.東京農工大院工)

キーワード：酸化ガリウム、準安定相、HVPE

我々は、水素フリーのハライド気相成長法（HVPE法）を用いたβ-Ga₂O₃の高純度かつ高速成長および、不均化反応を用いて生成したGaCl₃を原料としたε-Ga₂O₃成長を行ってきた。今回GaClとCl₂の反応で制御して生成したGaCl₃を用いたトリハライド気相成長法（THVPE法）によるε-Ga₂O₃成長を試み、HVPE法との比較を行った。その結果、THVPEでは粉体を抑制し透明なε-Ga₂O₃膜を得られることが分かった。