[11p-S011-1~18] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [11p-S011-18] C-V法によるInGaZnO-TFTの可動電荷評価

〇(M1)高橋 崇典¹、宮永 良子¹、藤井 茉美¹、田中 淳²、竹知 和重²、田邉 浩²、Bermundo Juan Paolo¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.Tianma Japan)

キーワード：C-V法、薄膜トランジスタ、InGaZnO

酸化物半導体InGaZnOを用いた薄膜トランジスタにおける高ドレイン電圧印加時のソース/ドレイン領域における欠陥と閾値電圧シフトの関係をC-V法によって評価した。初期のC-V測定後、伝達特性測定2回 (V_drain側20 V印加, V_source側20 V印加) とC-V測定 を1セットとして、伝達特性測定時のドレイン電界の方向を入れ替えて測定を行った。ドレイン電界の方向によってソース/ドレイン領域における欠陥位置が移動し、C-V法により可視化することに成功した。