[11p-W834-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-W834-15] イオンビーム合成法で作製したβ-FeSi₂膜中の空孔型欠陥評価

〇薮内 敦¹、唐津 拓弥¹、木野村 淳¹、前川 雅樹²、河裾 厚男² (1.京大複合研、2.量研機構)

キーワード：格子欠陥、空孔、陽電子消滅

イオンビーム合成法で作製したβ-FeSi₂ではAlドープによりPL発光強度が増大することが報告されており，Siサイトを置換するAl原子がSi空孔形成を抑制するためであると言われていた．しかし陽電子消滅法による評価からはAlドープによる空孔型欠陥形成を示唆する結果が得られていた．今回，β-FeSi₂試料における陽電子捕獲サイトについて調べた結果，AlドープによるFe空孔形成の可能性が見出された．