[11p-W834-1~18] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[11p-W834-5] Fabrication of BaSi₂ films by close-spaced evaporation

〇Kosuke Hara¹, Shuhei Takizawa¹, Keisuke Arimoto¹, Junji Yamanaka¹, Kiyokazu Nakagawa¹ (1.Univ. of Yamanashi)

Keywords:silicide semiconductor, thermal evaporation, thin film

簡便で高速かつ大面積成膜に適用可能なBaSi₂成膜法の実現を目指して、近接蒸着法の可能性について調査した。原料にBaSi₂を用いた際は原料の気化が困難であるが、BaAl₄-Ni混合粉末を用いることでBaの堆積が可能であることが分かった。基板にSiを用いることで、BaSi₂成膜に成功した。