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[12a-PA3-6] ミストCVD法によるc面Al2O3基板への
Ni1-XMgXO薄膜のエピタキシャル成長とバンドギャップ制御
キーワード:ミストCVD法、酸化マグネシウムニッケル
NiO は、酸化物半導体では稀少な p 型伝導性を示すワイドギャップ (3.6eV) 半導体として知られており、発光デバイスやパワーデバイスへの応用のため、更に大きなバンドギャップを有する p 型材料が求められている。そこで、 NiO と同じ岩塩構造を有し、バンドギャップ 7.8 eV である MgO との混晶である Ni1-XMgXO に注目した。本研究では、ミスト CVD 法による c 面 Al2O3 基板上への Ni1-XMgXO 薄膜エピタキシャル成長と、光学バンドギャップの変化について検討した。