[12a-S421-1~11] 3.9 テラヘルツ全般

△ [12a-S421-10] Sm_0.7Er_0.3FeO₃における室温近傍に制御されたスピン再配列転移の観測

〇小池 遥平¹、弘田 和將¹、邱 紅松¹、木本 翔大¹、加藤 康作¹、吉村 政志¹、中嶋 誠¹ (1.阪大レーザー研)

キーワード：テラヘルツ波、磁気メモリ

弱強磁性体の希土類オルソフェライトはスピン再配列相転移温度(T_SR)近傍において効率的なスピン制御が可能であり、超高速磁気メモリへの応用が期待されている。本研究では、室温における超高速制御実現のため、混晶化によってスピン再配列相転移温度を制御した。SmFeO₃:ErFeO₃=7:3の組成比においてFloating Zone法により結晶化に取り組み、テラヘルツ時間分光法により相転移温度が310 K付近に現れることを確認した。