[12p-M101-1~14] 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関

[12p-M101-4] GaSb中のMnにおいての正孔状態の三角形のSTM/STS測定及びTB計算を用いた考察

〇辰巳 尭¹、安藤 美幸¹、加来 滋¹、吉野 淳二¹ (1.東工大理)

キーワード：STM、GaSb

希薄磁性半導体中のMnがSTMを用いて調べられており、正孔状態は束縛エネルギーが大きい半導体で非対称な蝶ネクタイ型を示し、束縛エネルギーが小さい半導体で正孔状態はより非対称な三角形となることが指摘されている。我々はこの非対称性の起源及び束縛エネルギーとの関係についてTight-binding計算による考察を行った。また、実験ではdI/dV-V測定によりGaSb中のMn準位のMnドープ層深さ依存性を詳しく調べた。