[12p-M111-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[12p-M111-6] 超高温RTPによるSiウェーハの酸素析出制御

〇須藤 治生^1,2、前田 進¹、中村 浩三³、末岡 浩治⁴ (1.グローバルウェーハズ・ジャパン、2.岡山県大院情報系工、3.岡山県大地域共同研究機構、4.岡山県大情報工)

キーワード：シリコン、急速昇降温熱処理、酸素析出

Siウェーハ中の酸素析出について、酸化性雰囲気でのRTPの冷却条件と酸素析出挙動との関係を調べ、酸素析出を適正な状態とする効果的な制御方法について報告する。