[9a-W521-1~11] SP3 International Roadmaps on Systems and Devices 2019, Searching xenogeneic technology innovations

[9a-W521-6] Device Scaling

〇Yuzo Fukuzaki¹ (1.Sony Semiconductor Solutions)

Keywords:Scaling, CMOS Devices

近年先端デバイスはFinFETを採用するなど構造が複雑化していますが、引き続きスケーリングメリットを得るためには、さらに複雑なデバイス構造やプロセスを採用する必要性が指摘されています。このような状況を理解するために、システムおよびデバイスの国際ロードマップ IRDSのMore Mooreレポートの内容を中心に、半導体集積回路の性能向上をもたらすトランジスタの微細化と構造の3次元化の今後15年に渡る動向を解説します。