[9p-PB6-1~15] 16.3 シリコン系太陽電池

[9p-PB6-6] Cat-CVD装置での窒化処理による極薄窒化Si膜の形成

〇WEN YULI¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端科学技術大学院大学)

キーワード：パッシベーション、触媒化学気相堆積、SiNx膜

本研究では、トンネル窒化Si膜の形成を目的に、Cat-CVD装置での窒化処理による極薄窒化Si膜形成を試みた。トンネルパッシベーション膜として使用可能な膜厚1–2 nmの窒化Si膜が、制御よく形成できることを確認した。また、窒化Siの膜厚が窒化時間の平方根に対し線形に増大することから、熱酸化と同様の、膜中の拡散が律速するメカニズムで膜形成が起きていることを見出した。