[9p-S011-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-S011-8] 結晶性IGZOを用いたFETの極小オフリーク電流の起源

〇馬場 晴之¹、水上 翔太¹、津田 一樹¹、越田 樹¹、山﨑 舜平¹ (1.半エネ研)

キーワード：酸化物半導体、IGZO、FET

c軸配向したIGZO膜（c-axis aligned crystalline IGZO:CAAC-IGZO）を活性層に用いたFETは、オフリーク電流がyA/μmオーダー(y:ヨクト＝10^-24)と極めて低くなるという特徴を有している。半導体の結晶中に存在する欠陥がリーク電流の一因となることに着目し、CAAC-IGZO中の欠陥がオフリーク電流にどのように影響するか温度依存性を含めてデバイス計算により見積もった。詳細な検証、考察については当日報告予定である。