[9p-W351-1~12] 9.4 熱電変換

[9p-W351-9] 放電プラズマ焼結法で合成したYおよびTeドープMg₃Sb₂の熱電特性

〇谷 淳一¹、品川 勉¹、千金 正也¹ (1.大阪技術研)

キーワード：熱電変換材料、放電プラズマ焼結、不純物ドーピング

パルス通電加圧焼結法を用い、原料粉末から1段階プロセスで合成同時焼結を行ったYおよびTeドープMg₃Sb₂の熱電特性について報告する。YおよびTeのドーピングによって電気抵抗率は低下し、n型半導体の特性を示した。Y₂O₃を添加した時の室温での電子濃度はTeを添加した時よりも高く、YのMg₃Sb₂中への固溶限界値はTe よりも高いと考えられる。YおよびTeドープMg₃Sb₂ともに、熱電無次元性能指数(ZT) の最大値は773K付近において1.0の値を示した。